| 主要技术指标 |
点分辨率：≤0.25nm
线分辨率：≤0.14nm
信息分辨率：≤0.13nm
加速电压：20kV-200kV；加速电压连续可调
电子枪类型：肖特基场发射电子枪
平行光照明模式：最小束斑1nm
汇聚束模式：最小束斑0.3 nm
TEM放大范围：25×–1M
最大会聚角(CBED)：100mrad
最大衍射角：24°
相机长度：最小≤14mm；最大≥5700 mm
五轴CompuStage样品台，可存储和复位5维(x, y, z,a,b)坐标
样品移动范围：X, Y =±1mm；Z:±0.375 mm,最小移动步长36 nm
双倾斜样品杆最大倾斜角度：±30°
扫描透射(STEM)： HAADF分辨率：≤0.16 nm
探头：高角环形暗场探头（HAADF）
STEM放大倍数范围150x - 230Mx
2个电制冷硅漂移探测器，无窗设计、遮板保护
有效探测器面积：60 mm2
EDX立体角(srad)：0.45
能量分辨率136 eV
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